自从上个世纪50年代首次发现GaAs材料具有光伏效应后，很快引起了科学界的注意。当时在理论上已经证明，带隙为Eg=1.4~1.6eV的材料，光电转换效率最高。
而GaAs复材料的带隙Eg=1.43eV，恰好能够取得很高的转换效率。Jenny等首次制成GaAs太阳电池，其效率为6.5%。
60年代Gobat等研制了第1个掺锌GaAs太阳电池，但转换效率仅为9%～10%，远低于27%的理论值。
70年代，Woodal等采用LPE技术，在GaAs表面生长层宽禁带A1GaAs窗口层，大大减少了表面复合，把转换效率提高到了16%。目前的GaAs电池的效率最高已经能够达到40%。
砷化镓太阳电池与Si电池的比较
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GaAS太阳电池是一种III~V族化合物半导体太阳电池，与Si太阳电池相比，其特点为：
转换效率高
GaAs的禁带宽度相比于Si要宽，光谱响应特性与太阳光谱的匹配度也比Si要好。所以，GaAs太阳能电池的光电转化效率要高于Si太阳能电池。
Si电池的理论效率仅为23%，而单节的GaAs电池理论效率为27%，而多节GaAs的电池理论效率更是高达50%。
可以制成超薄型电池
GaAs是直接带隙半导体，而Si是间接带隙半导体，在可见光到红外的光谱内，GaAs的吸收效率要远远高于Si。
同样吸收95%的太阳光，Si需要150um以上的厚度，但是GaAS只需要5um~10um，用GaAs制成的太阳能电池，在质量上可以大大减轻。
耐高温
GaAs的本征载流子浓度低，GaAs太阳电池的最大功率温度系数（-2×10-3℃-1）较低比Si（-4.4×10-3℃-1）太阳电池小很多。
200℃时，Si太阳电池已不能工作，而GaAs太阳电池的效率仍有约10%。这使得GaAs电池可以在聚光领域有很好的应用。
抗辐射性能好
GaAs少子寿命短，在离结几个扩散度外产生的损伤，对光电流和暗电流均无影响。因此，其抗高能粒子辐照的性能优于间接禁带的Si太阳电池。
在电子能量为1MeV，通量为1×10(15)个/cm²辐照条件下，辐照后与辐照前太阳电池输出功率比，GaAs单结太阳电池>0.76，GaAs多结太阳电池>0.81，而BSFSi太阳电池仅为0.70。
可制成效率更高的多结叠层太阳电池
随着MOCVD技术的日益完善，III~V族三元、四元化合物半导体材料（GalnP、AIGalnP、GalnAs）的生长技术取得重大突破，为多结叠层太阳电池研制提供了多种可供选择的材料。
砷化镓太阳电池的发展前景
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高效率多结GaAs太阳电池
下表表示GaAs电池（非聚光）与Si的性能成本比较
除了空间的需求外，聚光是必然的超势，最高效的三结CPV的转换效率已经突破40%，国外批量生产的产品效率也已经突破30%，我公司的产品和国外差距并不大。但是改进工艺，降低成本还是很必要的。
虽然现在国内外聚光发电还不是很成熟，但欧洲，美国，日本等发达国家或地区都提出了发展聚光的计划。例如西班牙的NFLATCOM项目为2000年完成的第一阶段实验，接近与完全聚光PV模块原型制造过程。
使用RXI光学聚光器1000倍聚光，使用GaAs单结电池（25%）；使用高效率高倍聚光系统实现了商业光伏系统安装（10MWp）成本为2.8欧元/Wp，另外，如果加上其他不过预期的成本估算为4.8欧元/Wp，由此可见，发达国家对于CPV的重视程度。
目前和今后，发展类似LEDS制造方法制造多结化合物太阳电池，可以使得多结化合物太阳电池的成本大大降低，未来CPV市场需要使用1000倍或更高倍聚光的III-V族太阳电池。
因为市场上Si太阳电池已经做到几百倍太阳聚光，虽然效率只有25%。但更高倍聚光可以抵消III-V太阳电池生产成本。所以III-V太阳电池需要高的聚光倍数，才可以占领市场。
下图表示聚光倍数与成本的关系：
在日本，这个能源匮乏的国家，更加受到重视，下图显示出日本太阳能发电的经济预测，表示出对CPV的看好：
有人做出了太阳能发电的成本预测（图3），这里计算公式为：
图3、R.R.King做的太阳能发电的成本预测
■ 绿线组是不同效率的平板Si电池，
■ 蓝色线组是多结化合物太阳电池，
从图中我们可以看出，化合物电池的成本还是要高一些的，这正是需要我们我们现在要解决的问题。
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